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  • Planarization

平坦化

平坦化让芯片表面达到完全平整光滑的状态,保障器件性能与可靠性,是半导体芯片制造中的关键工艺。

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  • 能力
  • 面向未来的创新
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优化的晶圆表面结果

平坦化是晶圆加工的关键步骤,直接影响电子器件的性能与可靠性。化学机械平坦化(CMP)工艺通过去除多余材料、平整表面,避免电气缺陷,提升器件良率。该精密制程需依赖复杂的化学配方与抛光技术协同作用,是推动电子器件创新与保障品质的核心环节。

平坦化产品

  • 前道介电材料

    浅沟槽隔离、层间介电体和主体氧化层研磨液

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  • 后道互连工艺

    铜主体研磨液和铜阻挡层研磨液

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    钨主体和缓冲研磨液

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  • 先进封装

    适用于封装应用的多种解决方案

    浏览产品
  • 硅抛光工艺​

    硅晶圆CMP抛光液

    浏览产品

我们的产品

作为化学机械平坦化(CMP)技术和研磨液领域的全球领导者,我们致力于提供定制化解决方案,以优化晶圆表面处理效果,满足先进制程节点的严苛要求。凭借创新方案的快速交付,我们持续树立行业新标准。

我们在平坦化领域的产品组合

凭借丰富的平坦化产品组合,我们确保半导体器件实现卓越的表面均匀性,显著降低缺陷率。我们的创新解决方案涵盖:化学添加剂与磨料配方技术、集成式研磨液及后CMP清洗设计、研磨液成分配比优化以及薄膜特性表征等技术领域。

我们集成的CMP产品及应用领域

 

介电材料
STI, ILD, Oxirde & Nit
后道工序互连
铜主体/阻挡层
钨和新型金属
研磨液
晶圆抛光
研磨液
后CMP(pCMP)清洗
 
  • 氧化物对氮化物和多晶硅的高选择比
  • 低凹陷/侵蚀(可调节)
  • 高速率氮化物研磨液,对多种材料具有可调节选择性
  • 高速率铜和阻挡层解决方案
  • 可调选择性和凹陷/侵蚀
  • 兼容新型金属钴/钌
  • 具有氧化物/氮化物研磨速率可
  • 调的钨研磨液
  • 具有优异凹陷/侵蚀的高速率钨
  • 硅主体抛光
  • 具有优异缺陷率的可调速率
  • 腐蚀控制
  • 残留物/金属去除

 

 
介电材料
STI, ILD, Oxirde & Nit
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  • 高速率氮化物研磨液,对多种材料具有可调节选择性
后道工序互连
铜主体/阻挡层
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钨和新型金属
研磨液
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晶圆抛光
研磨液
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后CMP(pCMP)清洗
  • 腐蚀控制
  • 残留物/金属去除

能力

我们依托强大的研发实力与全球布局,持续加速技术创新进程,覆盖从研发到先进制程大规模量产的强大技术能力。

  • 我们是先进存储芯片、先进逻辑芯片、未来互连技术和先进封装平坦化解决方案的开拓者。
  • 凭借经验丰富的专家团队,我们与客户紧密合作推动产品应用,同时运用先进分析技术和严格质量控制措施,提供端到端整合解决方案,实现最佳的晶圆表面处理效果。
  • 我们采用全栈式数字解决方案和高级分析技术,从而在快速演进的半导体行业发展浪潮中保持领先。

我们深谙材料特性与制造工艺间的复杂相互作用,通过先进分析技术和质量控制措施赋能客户,加速产品制造进程。

合作伙伴关系

我们与Intermolecular®及数字化与数据赋能团队紧密合作,将端到端整合解决方案推向市场。客户最终能快速获得实现最佳晶圆表面处理效果的新方案。我们运用全球研发与应用资源,提供卓越的客户支持。

面向未来的创新

我们助力客户在快速演进的半导体行业中保持领先地位。我们整合全栈式数字解决方案与高级分析技术,赋能客户优化工艺、提高良率、加速创新周期。

我们在化学机械平坦化(CMP)领域持续创新,专注于开发提升半导体器件性能与可靠性的尖端可持续解决方案。

依托材料智能™平台,我们为先进存储芯片、先进逻辑芯片、未来互连技术及先进封装开发创新的平坦化解决方案。

联系我们

若您有意合作,请与我们联系,共同探索创新之道。

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默克遍布全球的设施布局与本地化供应链体系,提供了强大的供应韧性与灵活响应能力。

我们的技术领域

  • 薄膜
  • 平坦化
  • 图形化光刻
  • 图形化清洗
  • 特种气体
  • 电子材料供应系统及服务
  • 光电科技
  • 量测与检测
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  • 研发与创新
  • 职业发展
  • 销售与采购政策
  • 互联网药品信息服务资格证
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