3D NAND是最新一代闪存。 

闪存用于企业服务器存储（大型企业的数据存储）和网络技术，以及各种消费设备，包括U盘、智能手机、数码相机、平板电脑和笔记本电脑。

在推出3D NAND技术之前，NAND闪存均为二维平面形式。但是，我们现在已经达到了在二维平面上可以实现的物理极限。 

与存储器单元被塞入芯片上有限空间的2D NAND不同，3D NAND将存储器单元垂直堆叠在彼此之上。通过尖端工艺技术，3D NAND芯片将单元层和通道孔（数据通过的路径）垂直连接起来。

正如摩天大楼能够让城市人口能够在保持占地面积不变的情况下持续增加一样，3D NAND存储器单元堆栈可在同一水平空间内增加存储容量。

这种新架构提供了更多存储容量，并且每GB的成本更低。

但这不仅仅是存储容量的问题，与早期的NAND芯片相比，3D NAND还能使数据处理速度提高了升一倍，并将功耗降低了一半。

对于日常用户而言，这意味着我们的设备具有更高的数据容量、更快的速度、更高的可靠性和更高的能效。我们将能够更快地传输文件、存储更多照片、实时分析数据、毫无延迟地使用强大的应用程序，以及完成许多其他任务。

3D NAND技术发展迅速。2015年，所能实现的存储单元堆叠为32层。仅仅四年后，96层结构即将随即推出。到2022年，我们预计256层结构将成为可能。

为了让您能够理解这一概念，世界上最高的建筑——迪拜的哈利法塔（Burj Khalifa）高828米，底部长140米。纵横比（AR）约6：1。相比之下，3D NAND结构的纵横比约60:1。

而在实现了256层结构时后，所取得的纵横比相当于将11座哈利法塔堆叠在一起。 

从2D到3D NAND的转变需要对存储设备的制造工艺进行重大改变。关注工艺效率、材料创新和污染控制、对于实现能够满足性能、产量和成本要求的大批量生产至关重要。

我们的半导体解决方案团队与客户合作，积极参与旨在解决关键制造制程挑战的新颖开发项目。 

我们的沉积、图案化材料和旋涂电介质材料对于3D NAND芯片的制造工艺至关重要。 

这包括我们的Spinfil®旋涂电介质材料，例如，其可用于分别填充阶梯和深沟槽，并从而简化3D NAND的制造工艺。 

同时，我们的先进光刻胶材料KrF厚膜可用作蚀刻掩模，由此生产3D NAND芯片结构的重要组成部分——阶梯。

“3D NAND是我们在创新过程中与客户合作，将突破性的高科技产品推向市场的完美典范。”我们的半导体解决方案全球主管Anand Nambiar说，

“这项由默克公司的创新材料和解决方案推动的新技术，将创造一个万物相连、人人共享的未来。”  

3D NAND虽然已经先进无比，但制造商已经在展望闪存发展的下一篇章。有关4D NAND开发的消息于2018年底首次发布。[4]

“4D”一词可能会让人觉得各家公司会在半导体制造中“挪移时空”。然而，在这种情况下，“4”这个数字所代表的其实是一种先进性（而不是指进入第四维度）。

首批所谓的4D NAND设备提升了CTF（电荷撷取闪存）NAND阵列下的外围电路，从而在芯片上节省更多空间，并进一步降低生产成本。 

随着在2020年前弥补6ZB预计数据存储差距的竞赛日渐火热，进一步的发展指日可待。