每件半导体都是利用不同的材料在基材（通常是硅）上构建图案制成的。需要使用一种叫作平板印刷术的工艺。首先，在芯片表面涂覆一种叫作光刻胶的牺牲光敏材料。接下来，在芯片上放置掩模，只允许光线照射到芯片上的特定区域。光线照射到光刻胶材料上时，会让材料产生化学反应，引起化学变化。然后用显影剂冲洗芯片，这一步操作会将光刻胶材料曝光的区域冲洗掉。因此，掩模形成的图案将转移到芯片上的光刻胶上。然后利用蚀刻方法将此图案层压在其他材料上，如金属和绝缘体上，整个过程需要重复多次，直至半导体芯片制作完成。每次向芯片添加新材料，都必须利用“晶圆清洗”工艺将光刻胶材料完全溶解，然后才能添加下一层。   

制造商可以选择“正性”或“负性”工艺制造芯片。在“正性”工艺中，光线照射到的光刻胶材料会被溶解和冲洗掉。在“负性”工艺中，光线照射到的光刻胶材料会发生固化反应，变得不可溶解并保留在半导体背面。但是，负性工艺的基本化学原理和正性工艺是不同的，负性光刻胶材料更难使用晶圆清洗步骤洗掉。正性工艺的传统溶剂对这些负性光刻胶无效，因此负性工艺需要更长的清洗过程和腐蚀性更强的化学品。

美国技术服务经理 David Rennie 表示：“使用负性光刻胶制造半导体可能会发生很多问题。首先，如果不在每个步骤完全溶解光刻胶材料，最终会出现残留颗粒，产生缺陷芯片。残留颗粒还会堵塞清洗设备的过滤装置，这些装置更换成本高昂，而且需要关停生产线，弃用整批清洗溶剂，大约是 10 加仑化学品。未溶解的光刻胶也将缩短溶剂的有效使用寿命，增加化学品消耗。其次，如果使用腐蚀性更强的化学品，可能会损坏芯片的金属构件，导致构件无法使用。第三，由于负性工艺的清洗步骤耗时更长，因此，每小时的晶圆产量将减少。总之，这些不利因素导致每批溶剂生产的可用半导体更少了，同时产生的化学废料更多了。”

更高效、更安全、毒性更低的清洗溶剂不仅仅是行业需求，也是所有半导体制造从业者的呼声。

Rennie 表示：“我们不仅需要为客户的定制制造工艺开发湿法清洗配方，还承诺杜绝传统的、有时会有毒的溶剂，这些都是我们的工作动力。”

半导体清洗过程中最麻烦的化学品是 N-甲基吡咯烷酮 (NMP) 和四甲基氢氧化铵 (TMAH)，以及常用溶剂二甲基亚砜 (DMSO)。DMSO 本身无毒，但很容易渗入皮肤，而且可能携带清洗过程中的其他毒性物质。

Rennie 表示：“如果客户采用充满挑战的负性制造工艺，我们在为客户设计新配方时，就已经有了需要实现的功能目标，还能找到方法开发毒性更低、更安全的化学品溶剂，而不使用 NMP、TMAH 或 DMSO。”

综合上述因素，我们开发出了 AZ® Remover 910 [1]，目前已经供多家客户用于各种正性和复性制造工艺中。Rennie 表示：“每个客户使用的方式都不同，某家大量制造半导体的公司使用这款产品已经一年多了，他们的化学品消耗量比以前降低了 40%。”

这款产品不仅可以提高效率和生产率，还能减少化学品消耗，进而减少废料的产生，帮助客户减少环境足迹。